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簡(jiǎn)要描述：光敏單模光纖：IXF-PHO-CMF和IXF-PHO-CMF-PM設(shè)計(jì)用于抑制包層模損耗（無(wú)CMF包層模）。該光纖具有類(lèi)似于大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)SMF的模場(chǎng)直徑，其具有相對(duì)低的光敏性，該光敏性可以用氫負(fù)載來(lái)增強(qiáng)。主要優(yōu)點(diǎn)是與極低雙折射和低相位噪聲相關(guān)的包層模抑制，使其適用于補(bǔ)償大色散的光柵。
產(chǎn)品品牌：其他品牌廠商性質(zhì)：經(jīng)銷(xiāo)商更新時(shí)間：2025-11-03訪 問(wèn) 量：1379詳細(xì)介紹
| 品牌 | 其他品牌 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 綜合 |
|---|
用于布拉格光柵
我們提供2種不同類(lèi)型的光敏單模光纖：
IXF-PHO-CMF和IXF-PHO-CMF-PM設(shè)計(jì)用于抑制包層模損耗（無(wú)CMF包層模）。該光纖具有類(lèi)似于大多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)SMF的模場(chǎng)直徑，其具有相對(duì)低的光敏性，該光敏性可以用氫負(fù)載來(lái)增強(qiáng)。主要優(yōu)點(diǎn)是與極低雙折射和低相位噪聲相關(guān)的包層模抑制，使其適用于補(bǔ)償大色散的光柵。
IXF-PHO-CMS設(shè)計(jì)用于調(diào)整包層模式偏移（CMS包層模式偏移），以?xún)?yōu)化信道間隔。這種光纖具有非常高的鍺纖芯濃度，與國(guó)外摻硼纖芯光纖相比具有低的衰減，在沒(méi)有氫負(fù)載的情況下實(shí)現(xiàn)高反射率光柵。CMS系列將使包層模式偏移高達(dá)10 nm。
兩種光敏纖維對(duì)常規(guī)UV輻射技術(shù)都表現(xiàn)出均勻和受控的光敏性。類(lèi)似的纖維也有聚酰亞胺涂層，適用于惡劣環(huán)境。
光敏單模光纖關(guān)鍵特征
l出色的包層模抑制
l與傳輸匹配的模場(chǎng)直徑
應(yīng)用覆蓋
l光纖布拉格光柵
l增益平坦濾波器
l寬帶濾波器
l溫度和應(yīng)變傳感器
技術(shù)數(shù)據(jù)
主要規(guī)格
產(chǎn)品名稱(chēng) | 光纖纖芯直徑(μm) | 纖芯數(shù)值孔徑 | 衰減@1550nm (dB/km) | 截止波長(zhǎng)(nm) | 模場(chǎng)直徑(μm) | SMF的拼接損耗(dB) | 包層模式 |
IXF-PHO-CMF | 8.2 | 0.13 | < 0.5 | < 1400 | 10.5 +/- 1 | < 0.07 | < 0.2 dB for FBG > 30 dB |
IXF-PHO-CMF-PM | 8.2 | 0.13 | < 0.5 | < 1450 | 10.5 +/- 1 | < 0.07 | < 0.2 dB for FBG > 30 dB |
IXF-PHO-CMSp | 5 | 0.21 | < 2 | < 1450 | 6 +/- 1 | < 0.12 | Shift up to 4 nm |
IXF-PHO-CMS | 2.8 | 0.37 | < 10 | < 1450 | 4 +/- 1 | < 0.25 | Shift up to 9 nm |
常見(jiàn)規(guī)格
外包層直徑（μm）：125+/-2
涂層直徑（μm）：245+/-15
芯/涂層濃度誤差（μm）：<15
驗(yàn)證試驗(yàn)等級(jí)（KPSI）：100
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